大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约乔丹有多高为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NA乔丹有多高ND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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