大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应是什么关系叫侄子，侄子算自己后人吗停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(是什么关系叫侄子，侄子算自己后人吗rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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