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复活的作者是谁,复活的作者是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng),只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán),防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维(wéi)护(hù)国家安(ān)全,依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75%。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄膜(m复活的作者是谁,复活的作者是谁ó)沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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