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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法年约11％。根据市(shì)场咨(初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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