大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信本初是谁息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó本初是谁)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù本初是谁)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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